
CSD18532NQ5B的基本参数
- 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
- 产品类别:电源管理
- 技术类目:MOSFET - N 沟道 MOSFET
- 功能描述:采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、60V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD18532NQ5B的产品详情:
这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 60V、2.7mΩ NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换 应用。
CSD18532NQ5B的优势和特性:
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- SON 5mm × 6mm 塑料封装
CSD18532NQ5B的参数(英文):
- VDS (V)
- 60
- Configuration
- Single
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
- 3.4
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
- 400
- QG typ (nC)
- 49
- QGD typ (nC)
- 7.9
- QGS typ (nC)
- 16
- Package (mm)
- SON5x6
- VGS (V)
- 20
- VGSTH typ (V)
- 2.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 163
- ID - package limited (A)
- 100
- Logic level
- Yes
CSD18532NQ5B具体的完整产品型号参数及价格(美元):
CSD18532NQ5B的完整型号有:CSD18532NQ5B、CSD18532NQ5BT,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:
CSD18532NQ5B,工作温度:-55 to 150,封装: (DNK)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD18532NQ5B的批量USD价格:.841(1000+)
CSD18532NQ5BT,工作温度:-55 to 150,封装: (DNK)-8,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD18532NQ5BT的批量USD价格:.949(1000+)

CSD18532NQ5B的评估套件:
Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)
这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converterSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具
适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC 用于同步整流器的功率损耗计算工具
适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器CSD18532NQ5B的电路图解:


CSD18532NQ5B的评估套件:
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