CSD23203W的基本参数
- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 产品类别：电源管理
- 技术类目：MOSFET - P 沟道 MOSFET
- 功能描述：采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-8V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD23203W的产品详情：
这款 –8V、16.2mΩ、P 通道器件经过设计，能够以具有出色散热特性的 1 × 1.5 mm 超薄小外形封装提供最低的导通电阻和栅极电荷。
CSD23203W的优势和特性：
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低导通电阻 RDS(on)
- 小尺寸
- 低厚度，0.62mm 高
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- CSP 1mm × 1.5mm 晶圆级封装
CSD23203W的参数（英文）：
- VDS (V)
- -8
- VGS (V)
- -6
- Configuration
- Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
- 19.4
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
- 26.5
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
- 53
- Id peak (Max) (A)
- -54
- Id max cont (A)
- -3
- QG typ (nC)
- 4.9
- QGD typ (nC)
- 0.6
- QGS typ (nC)
- 1.3
- VGSTH typ (V)
- -0.8
- Package (mm)
- WLP 1.0x1.5
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 3
- Logic level
- Yes
CSD23203W具体的完整产品型号参数及价格（美元）：
CSD23203W的完整型号有：CSD23203W、CSD23203WT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：
CSD23203W，工作温度：PropertyValue，封装：DSBGA (YZC)-6，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD23203W的批量USD价格：0.117（1000+）
CSD23203WT，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZC)-6，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD23203WT的批量USD价格：0.317（1000+）
CSD23203W的评估套件：
CSD23203W的电路图解：
CSD23203W的评估套件：
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