此 12V、9.9mΩ、2.2mm × 1.15mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。

• 共漏极结构
• 低导通电阻
• 2.2mm × 1.15mm 小外形封装
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 栅极静电 (ESD) 保护

• VDS (V)
• 12
• Configuration
• Dual Common Drain
• Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
• 5.9
• IDM - pulsed drain current (Max) (A)
• 52
• QG typ (nC)
• 8.4
• QGD typ (nC)
• 1.9
• QGS typ (nC)
• 2.2
• Package (mm)
• LGA 2.2x1.2mm
• VGS (V)
• 10
• VGSTH typ (V)
• 0.95
• ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
• 8
• ID - package limited (A)
• 8
• Logic level
• Yes

CSD83325L的完整型号有：CSD83325L、CSD83325LT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD83325L，工作温度：PropertyValue，封装： (YJE)-6，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD83325L的批量USD价格：.162（1000+）

CSD83325LT，工作温度：-55 to 150，封装： (YJE)-6，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD83325LT的批量USD价格：.362（1000+）

CSD83325L Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

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该设计在小尺寸 (20mm x 29mm) PCB 中实现；其输入电源可以来自 micro-USB 连接器或符合 Qi 标准的无线功率发射器，但只要检测到来自 micro-USB 连接器的 5V 电源，无线功率发射器就会关闭。