CSD87352Q5D_TI 采用 5mm x 6mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET 电源块

CSD87352Q5D的基本参数

制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - 电源块
功能描述：采用 5mm x 6mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET 电源块
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CSD87352Q5D的产品详情：

此CSD87352Q5D NexFET™电源块是面向同步降压应用的优化设计方案，能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，可提供一套灵活的解决方案，在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，均可提供高密度电源。

CSD87352Q5D的优势和特性：

半桥电源块
15A 电流时系统效率为 91%
高达 25A 运行
高频工作（高达 1.5MHz）
高密度 SON 5mm × 6mm 封装
针对 5V 栅极驱动进行了优化
开关损耗较低
超低电感封装
符合 RoHS 标准
无卤素
无铅引脚镀层

CSD87352Q5D的参数（英文）：

VGS (V)
10
VDS (V)
30
Power loss (W)
1.8
Ploss current (A)
15
ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
25
Operating temperature range (C)
-55 to 150
Features
Power supply
Duty cycle (%)
Low

CSD87352Q5D具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD87352Q5D的完整型号有：CSD87352Q5D，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD87352Q5D，工作温度：-55 to 150，封装： (DQY)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD87352Q5D的批量USD价格：.61（1000+）

CSD87352Q5D的评估套件：

CSD87352Q5D Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

CSD87352Q5D的电路图解：

CSD87352Q5D的评估套件：