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LMG3422R050的基本参数
  • 制造厂商:TI
  • 产品类别:电源管理
  • 技术类目:氮化镓 (GaN) IC
  • 功能描述:具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50m? GaN FET
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LMG3422R050的产品详情:

LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。

LMG342xR050 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150 V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合,可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之间,这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。 LMG3425R050 包含理想二极管模式,该模式通过启用自适应死区时间控制功能来降低第三象限损耗。

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告,这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。

LMG3422R050的优势和特性:
  • 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
  • 带集成栅极驱动器的 600-V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度栅极偏置电压
    • 200V/ns CMTI
    • 3.6MHz 开关频率
    • 20V/ns 至 150V/ns 压摆率,用于优化开关性能和缓解 EMI
    • 在 7.5V 至 18V 电源下工作
  • 强大的保护
    • 响应时间少于 100 ns 的逐周期过流和锁存短路保护
    • 硬开关时可承受 720V 浪涌
    • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
  • 高级电源管理
    • 数字温度 PWM 输出
    • 理想二极管模式可减少 LMG3425R050 中的第三象限损耗
LMG3422R050的参数(英文):
  • VDS (Max) (V)
  • 600
  • RDS (on) (Milliohm)
  • 50
  • ID (Max) (A)
  • 44
  • Rating
  • Catalog
LMG3422R050具体的完整产品型号参数及价格(美元):

LMG3422R050的完整型号有:LMG3422R050RQZR、LMG3422R050RQZT、XLMG3422R050RQZT,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

LMG3422R050RQZR,工作温度:-40 to 150,封装: (RQZ)-54,包装数量MPQ:2000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-3-260C-168 HR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网LMG3422R050RQZR的批量USD价格:7.94(1000+)

LMG3422R050RQZT,工作温度:-40 to 150,封装: (RQZ)-54,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-3-260C-168 HR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网LMG3422R050RQZT的批量USD价格:9.528(1000+)

XLMG3422R050RQZT,工作温度:-40 to 150,封装: (RQZ)-54,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-3-260C-168 HR,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网XLMG3422R050RQZT的批量USD价格:8.34(1000+)

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LMG3422R050的评估套件:

LMG342X-BB-EVM — 适用于 LMG342x 系列的 LMG342x GaN 系统级评估主板

LMG342X-BB-EVM 是易于使用的输出板,可将 LMG3422EVM-043 等各种 LMG342xR0x0 半桥板配置为同步降压转换器。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路,该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件的开关速度。该 EVM 能够在提供充分热管理(强制通风、低频运行等)的同时提供高达 12A 的输出电流,从而确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合用于瞬态测量,因为该板是开环板。

仅需要一个脉宽调制输入,即可在电路板上生成互补的脉宽调制信号和相应的死区时间。提供了探测点,从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。

LMG3422EVM-041 — LMG3422R050 600V 50m? 半桥子卡

LMG3422EVM-041 将两个 LMG3422R050 GaN FET 配置到具有锁存过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。该 EVM 需要与大型系统配合使用。

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