
- 制造厂商:TI
- 类别封装:射频前端(LNA + PA),封装:80-TQFP
- 技术参数:IC DUAL IF BTS RCVR 80HTQFP
- 丰富的TI公司产品,TI芯片采购平台
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ADS58C20IPFP 技术参数详情:
- 制造商产品型号:ADS58C20IPFP
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:IC DUAL IF BTS RCVR 80HTQFP
- 系列:射频前端(LNA + PA)
- 零件状态:有源
- 射频类型:手机,3G,GSM,LTE,TD-SCDMA
- 频率:125MHz
- 特性:-
- 封装:80-TQFP
- ADS58C20IPFP优势代理货源,国内领先的TI芯片采购服务平台。
TIOS1023:具有低残余电压、集成浪涌保护功能和 3.3V LDO 的数字传感器输出驱动器
LF147:Quad, 30-V, 4-MHz, FET-input operational amplifier
LP3996:具有电源正常指示和使能功能的 150mA、低 IQ、双通道低压降稳压器
DAC161S997:具有内部基准电压和 4mA 至 20mA 电流环路驱动的 16 位精密 DAC
DRV8300-Q1:具有自举二极管的汽车类 100V(最大值)简单三相栅极驱动器
UC19432-SP:航天级 QMLV 可调节精密模拟控制器
TPS59620:用于 IMVP6+ CPU/GPU Vcore 嵌入式计算的双相 D-CAP+ 模式降压控制器
INA238-Q1:符合 AEC-Q100 标准的 85V、16 位、高精度、IC 输出电流/电压/充电监控器
CSD86330Q3D:采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET 电源块
CSD83325L:采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、5.9mΩ、12V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

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