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  • 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:32-DIP 模块(18.42x42.8)
  • 技术参数:IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE
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BQ4013YMA-120 技术参数详情:
  • 型号:BQ4013YMA-120
  • 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
  • 封装:32-DIP 模块(18.42x42.8)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:NVSRAM
  • 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM)
  • 存储容量:1Mb
  • 存储器组织:128K x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:120ns
  • 访问时间:120 ns
  • 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:32-DIP 模块(0.610,15.49mm)
  • 供应商器件封装:32-DIP 模块(18.42x42.8)
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LM22680:具有精密使能功能的 SIMPLE SWITCHER 4.5V 至 42V、2A 降压直流/直流开关稳压器
CSD19533Q5A:采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
LM285-1.2:具有 -40°C 至 +85°C 工作温度范围的 1.235V 微功耗基准电压
BQ76940:9 至 15 节串联锂离子和锂磷酸盐电池监控器(bq76940 系列)
TPS51225:具有 5V 和 3.3V LDO 的 5.5V 至 24V 双路同步降压控制器
CSD88584Q5DC:采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET Dual-Cool 电源块
TL1963A-Q1:具有反向电流保护功能的汽车类 1.5A、20V、可调节低压降稳压器
REG710-27:具有固定 2.7V 输出的 30mA 开关电容直流/直流转换器
TLV4376:四路 5.5MHz、100V 失调电压、8nV/√Hz 噪声、815A 功耗、精密运算放大器
MSP430AFE233:具有 3 个 24 位 Σ-Δ ADC、8KB 闪存和 512B RAM 的 12MHz 计量 AFE
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