
- 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:32-DIP 模块(18.42x42.8)
- 技术参数:IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE
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BQ4013YMA-120 技术参数详情:
- 型号:BQ4013YMA-120
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:32-DIP 模块(18.42x42.8)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:NVSRAM
- 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 存储容量:1Mb
- 存储器组织:128K x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:120ns
- 访问时间:120 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:32-DIP 模块(0.610,15.49mm)
- 供应商器件封装:32-DIP 模块(18.42x42.8)
- BQ4013YMA-120优势代理货源,国内领先的TI芯片采购服务平台。
LM22680:具有精密使能功能的 SIMPLE SWITCHER 4.5V 至 42V、2A 降压直流/直流开关稳压器
CSD19533Q5A:采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
LM285-1.2:具有 -40°C 至 +85°C 工作温度范围的 1.235V 微功耗基准电压
BQ76940:9 至 15 节串联锂离子和锂磷酸盐电池监控器(bq76940 系列)
TPS51225:具有 5V 和 3.3V LDO 的 5.5V 至 24V 双路同步降压控制器
CSD88584Q5DC:采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET Dual-Cool 电源块
TL1963A-Q1:具有反向电流保护功能的汽车类 1.5A、20V、可调节低压降稳压器
REG710-27:具有固定 2.7V 输出的 30mA 开关电容直流/直流转换器
TLV4376:四路 5.5MHz、100V 失调电压、8nV/√Hz 噪声、815A 功耗、精密运算放大器
MSP430AFE233:具有 3 个 24 位 Σ-Δ ADC、8KB 闪存和 512B RAM 的 12MHz 计量 AFE

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