
- 制造厂商:TI
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:6-WSON(2x2)
- 技术参数:MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
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CSD13202Q2 技术参数详情:
- 制造商产品型号:CSD13202Q2
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:NexFET
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):12V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):22A(Ta)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):9.3 毫欧 @ 5A,4.5V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):6.6nC @ 4.5V
- Vgs(最大值):±8V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):997pF @ 6V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):2.7W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:6-WSON(2x2)
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BQ51003:BQ51003 无线电源接收器
AMC1303M2510:具有 10MHz 内部时钟的 ±250mV 输入、精密电流检测增强型隔离式调制器
LMV712-N:Dual, 5.5-V, 5-MHz, RRIO, 35-mA output current operational amplifier
TMDS442:2.25Gbps 4 至 2 DVI/HDMI1.3a 多路复用器
SN74ALVCH162830:具有总线保持和三态输出的 18 通道、1.65V 至 3.6V 缓冲器
TLV3012:具有基准电压的低功耗比较器(推挽)
MSP430G2553-Q1:具有 16KB 闪存、512B SRAM、10 位 ADC、比较器、UART/SPI/I2C 和计时器的汽车类 16MHz MCU
SN74CBTS3384:具有肖特基二极管钳位功能的 5V、1:1 (SPST)、10 通道通用 FET 总线开关
CSD17579Q5A:采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
INA296A:-5V 至 110V、双向、1.1MHz、5V/µs 超精密电流检测放大器

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