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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
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CSD16325Q5 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD16325Q5
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：25V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：33A（Ta），100A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：3V，8V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2 毫欧 @ 30A，8V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：25nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：+10V，-8V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4000pF @ 12.5V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
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LP2951-Q1：具有电源正常指示和使能功能的汽车类 100mA、30V、低压降稳压器
CD74HCT573：具有三态输出的高速 CMOS 逻辑八路透明锁存器
DAC5662A：双通道、12 位、275MSPS 数模转换器 (DAC)
DRV8306：最大 40V 含传感器梯形控制三相 BLDC 智能栅极驱动器
LM27402：具有 DCR 电流感应的 3V 至 20V 电压模式同步降压控制器
SN74AUC1G125-EP：具有三态输出的增强型产品单路 0.8V 至 2.7V 高速缓冲器
TLV62569：采用 SOT23 或 SOT563 封装的 2.5V-5.5V 输入、2A 高效降压转换器
BQ24115：采用 WQFN-20 封装的独立 1 至 3 节 2A 同步降压电池充电器
TPS62201：采用 SOT-23 封装的 1.5V 输出、300mA、95% 效率降压转换器
OMAP3525：应用处理器
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