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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSONP（3x3.15）
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
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CSD17579Q3AT 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD17579Q3AT
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET?
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10.2 毫欧 @ 8A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：998pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），29W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSONP（3x3.15）
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LP2951：具有电源正常指示和使能功能的 100mA、30V、低压降稳压器
SN74AVC24T245：具有可配置电压转换和三态输出的 24 位双电源总线收发器
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