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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSONP（3x3.15）
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
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CSD17581Q3AT 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD17581Q3AT
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：60A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.8 毫欧 @ 16A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.7V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：54nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3640pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），63W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSONP（3x3.15）
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TPS65180B：用于 E Ink Vizplex 电子纸显示的 PMIC
ADC121S051：单通道、200 至 500 ksps、12 位模数转换器
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TUSB2E11：USB 2.0-eUSB2 单端口中继器
SN74HCS245：具有三态输出的施密特触发输入八路总线收发器
TPS61288：18V、15A 同步升压转换器
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