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  • 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-263(DDPAK-3)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
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CSD18510KTTT 技术参数详情:
  • 型号:CSD18510KTTT
  • 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
  • 封装:TO-263(DDPAK-3)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):274A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.6 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):132 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):11400 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):250W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-263(DDPAK-3)
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
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DS99R124AQ-Q1:5MHz 至 43MHz 18 位彩色 FPD-Link II 至 FPD-Link 转换器
CSD17571Q2:采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、29mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
SN74HC153:双路 4 线路到 1 线路数据选择器/多路复用器
BQ25710:具有系统功率监测器和处理器热量监测器的 SMBus 1 至 4 节降压/升压电池充电控制器
SN74CBT3345:5V、1:1 (SPST)、8 通道 FET 总线开关
MSP430F5502:具有 24KB 闪存、4KB SRAM、比较器、DMA、UART/SPI/I2C、USB、计时器和硬件乘法器的 25MHz MCU
LM26400Y:双路 2A、500kHz 宽输入范围降压稳压器
TUSB1042I:10Gbps USB Type-C 2:1 线性转接驱动器开关
UC1710-SP:具有 5V UVLO 和分离接地层的航天级 QMLV 6A/6A 单通道栅极驱动器
OPA2343:Dual, 5.5-V, 5.5-MHz, RRIO operational amplifier
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