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  • 制造厂商:TI
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-VSON-CLIP(5x6)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
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CSD18512Q5B 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:CSD18512Q5B
  • 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:NexFET?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):211A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.6 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):7120pF @ 20V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):139W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-VSON-CLIP(5x6)
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TPD4E05U06-Q1:适用于 USB 和高速接口的汽车类四路 0.5pF、5.5V、±12kV ESD 保护二极管
TPS65145-Q1:具有故障检测功能的汽车类 2.7V 至 5.8V、4 通道 LCD 电源
INA250-Q1:具有集成分流电阻的 AEC-Q100、36V、双向、精密电流感应放大器
CSD19502Q5B:采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
SN74LS240:具有三态输出的 8 通道、4.75V 至 5.25V 双极反相器
SN74ABT162500:具有三态输出的 18 位通用总线收发器
CDCLVP110:1:10 LVPECL/HSTL 至 LVPECL 时钟驱动器
CSD88599Q5DC:采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET Dual-Cool 电源块
ADS8350:双路 750kSPS 16 位、同步采样 SAR 模数转换器 (ADC)
ADC12040:12 位 40MSPS 模数转换器 (ADC)
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