
- 制造厂商:TI
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-VSON-CLIP(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V 22A/100A 8VSON
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CSD18532NQ5B 技术参数详情:
- 制造商产品型号:CSD18532NQ5B
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET N-CH 60V 22A/100A 8VSON
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:NexFET
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):22A(Ta),100A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.4 毫欧 @ 25A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):64nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5340pF @ 30V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):3.2W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-VSON-CLIP(5x6)
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THS4502:具有断电功能的高速全差分放大器
OPA2727:e-trim 20MHz、高精密 CMOS 运算放大器
TPS62612:350mA、6MHz、1.5V 输出高效降压转换器
TPS3837K33-EP:增强型产品纳瓦级功耗监控电路
ADS8370:具有 Ref 引脚和单极伪差动输入的 16 位 600KSPS 串行 ADC
TPS24770:具有电流监控功能的 2.5V 至 18V 高性能热插拔控制器
DAC8871:16 位、单通道、串行接口、+/-18V(高电压双极性)输出 DAC
TPS82677:600mA、高效 MicroSiP 降压转换器模块(厚度 <1.0mm)。
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