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  • 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220-3
  • 技术参数:MOSFET N-CH 60V 72A/100A TO220-3
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CSD18533KCS 技术参数详情:
  • 型号:CSD18533KCS
  • 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
  • 封装:TO-220-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 72A/100A TO220-3
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):72A(Ta),100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6.3 毫欧 @ 75A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):34 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3025 pF @ 30 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):192W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220-3
  • 封装/外壳:TO-220-3
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TPS54073:用于预偏置输出的 3V 至 4V 输入、14A 同步降压转换器
SN74LS06:具有集电极开路输出的 6 通道、4.75V 至 5.25V 双极反相器
DLP670S:DLP 0.67 英寸、2716x1600 阵列、S610 数字微镜器件 (DMD)
REF5025:2.5V、3Vpp/V 噪声、3ppm/°C 温漂、精密串联电压基准
TMS320C6674:高性能四核 C66x 定点和浮点 DSP- 高达 1.25GHz
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OPA2251:双路、15V 单电源、微功耗运算放大器
LMH6401:4.5GHz 超宽带数字可变增益放大器
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