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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-263（DDPAK-3）
- 技术参数：MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
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CSD19506KTT 技术参数详情：
- 型号:CSD19506KTT
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:TO-263（DDPAK-3）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.3 毫欧 @ 100A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:156 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12200 pF @ 40 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:375W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（DDPAK-3）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- CSD19506KTT优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
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