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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：DDPAK/TO-263-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
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CSD19506KTT 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD19506KTT
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：80V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：200A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.3 毫欧 @ 100A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：156nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：12200pF @ 40V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：375W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：DDPAK/TO-263-3
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TPS53625：适用于 VR12.0 微服务器的两相 D-CAP+ 降压控制器
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