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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSONP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
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CSD19534Q5AT 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD19534Q5AT
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：50A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15.1 毫欧 @ 10A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1680pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），63W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSONP（5x6）
- CSD19534Q5AT优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
TLV4316：Quad, 5.5-V, 10-MHz, RRIO operational amplifier
SN65HVD10：32Mbps 3.3V 半双工 RS-485 收发器
SN74HCT00：具有 TTL 兼容型 CMOS 输入的 4 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 与非门
TMP100-EP：采用 SOT-23 封装、具有 I2C/SMBus 接口的增强型产品温度传感器
TPD2E1B06：适用于 USB 2.0 且具有 ESD 等级的双路 1pF、±5.5V、±10kV ESD 保护二极管
LM61495-Q1：针对功率密度进行了优化且具有低 EMI 的 10A 汽车类降压转换器
DAC12DL3200：12 位、低延迟、双通道 3.2GSPS 或单通道 6.4GSPS 射频采样 DAC（LVDS 接口）
DS15BR400：具有预加重功能的 4 通道 LVDS 缓冲器/中继器
TLV2471A：Single, 6-V, 2.8-MHz, 1.6-mV offset, RRIO operational amplifier
SN74HC266：具有漏极开路输出的 4 通道、2 输入、2V 至 6V XNOR（异或非）门
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