
- 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-VSONP(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
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CSD19534Q5AT 技术参数详情:
- 型号:CSD19534Q5AT
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:8-VSONP(5x6)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):15.1 毫欧 @ 10A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):22 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1680 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):3.2W(Ta),63W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-VSONP(5x6)
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- CSD19534Q5AT优势代理货源,国内领先的TI芯片采购服务平台。
ISOW7841:具有集成电源的四通道、3/1、增强型数字隔离器
DRV8884:具有电流调节功能和 1/16 微步进的 37V、1A 双极步进电机驱动器
MSP430FR5947:具有 32KB FRAM、1KB SRAM、AES、12 位 ADC、比较器、DMA、UART/SPI/I2C 和计时器的 16MHz MCU
OPA4703:Quad, 12-V, 1-MHz, low-offset operational amplifier
LM193JAN:低功耗低失调电压双路比较器
SN74AHCT374:具有三态输出的八路边沿触发式 D 型触发器
TLV6002:Dual, 5.5-V, 1-MHz, RRIO operational amplifier
LMZ14201:采用引线式表面贴装 TO 封装的 SIMPLE SWITCHER 6V 至 42V、1A 电源模块
SN74HC109:具有清零和预置端的双路负边沿触发式 J-K 触发器
CD54AC32:军用 4 通道、2 输入、1.5V 至 5.5V 或门

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