
- 制造厂商:TI
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-VSON(3.3x3.3)
- 技术参数:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
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CSD19537Q3T 技术参数详情:
- 制造商产品型号:CSD19537Q3T
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:NexFET
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):50A(Ta)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):14.5 毫欧 @ 10A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):21nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1680pF @ 50V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):2.8W(Ta),83W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-VSON(3.3x3.3)
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SN74LS175:具有清零端的四路 D 型触发器
TLV3202-Q1:双路高速低功耗比较器
DM383:DaVinci 数字媒体处理器
ISO1643:具有 2 个 GPIO、EMC 性能优异的热插拔双向 IC 隔离器
THS4513-SP:抗辐射 V 类宽带全差分放大器
LM1894:立体动态降噪系统
SN65HVD51:高输出全双工 RS 485 驱动器和接收器
ADS7954:10 位、1MSPS、4 通道、单端、微功耗、串行接口、SAR ADC
TPS3839:超低功耗电源电压监控器
SN54AS10:军用 3 通道、3 输入、4.5V 至 5.5V 双极与非门

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