
- 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:6-WSON(2x2)
- 技术参数:MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
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CSD19538Q2R 技术参数详情:
- 型号:CSD19538Q2R
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:6-WSON(2x2)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.1A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):59 毫欧 @ 5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):5.6 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):454 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),20.2W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:6-WSON(2x2)
- 封装/外壳:6-WDFN 焊盘
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LMR14020-Q1:具有 40uA IQ 的 SIMPLE SWITCHER、汽车类 40V、2A 2.2MHz 降压转换器
LM224K:Quad, 30-V, 1.2-MHz, improved ESD (2kV) operational amplifier with -25°C to 85°C operation
TPSM84205:1.5A、28V 输入、5V 输出 TO-220 电源模块
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DLP3310:DLP 0.33 1080p DMD
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TLV9002-Q1:Automotive-grade, dual, 5.5-V, 1-MHz, RRIO operational amplifier for cost-optimized applications
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