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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerLDFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
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CSD86350Q5D 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD86350Q5D
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：2 个 N 通道（半桥）
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：25V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：40A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6 毫欧 @ 20A，8V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10.7nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1870pF @ 12.5V
- 功率-最大值：13W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerLDFN
- CSD86350Q5D优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
LM20144-Q1：具有调频功能的汽车级 2.95V 至 5.5V、4A、电流模式同步降压稳压器
LM9071：具有复位延迟功能的 250mA、26V、低压降稳压器
TPS54286：具有内部补偿的 4.5V 至 28V 输入、双路 2A 输出、600kHz 降压转换器
OPA4277-SP：高精度运算放大器
TSB12LV32-EP：增强型产品符合 IEEE 1394-1995 和 P1394a 的通用链路层控制器
TS3A5017：3.3V、4:1、2 通道通用模拟多路复用器
BQ21040：0.8A 单节锂离子和锂聚合物电池充电器
DLPA1000：用于 DLP2000 (0.2 nHD) DMD 的 PMIC/LED 驱动器
REF3430-EP：增强型产品 3V 低温漂、低功耗、小型串联电压基准
LMK62I0-156M：156.25MHz、HCSL、±25ppm、高性能、低抖动振荡器
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