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- 制造厂商：TI
- 类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 技术参数：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
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LM5110-3M 技术参数详情：
- 制造商产品型号：LM5110-3M
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：管件
- 系列：-
- 零件状态：停产
- 驱动配置：低端
- 通道类型：独立式
- 驱动器数：2
- 栅极类型：N 沟道 MOSFET
- 电压-供电：3.5V ~ 14V
- 逻辑电压?-VIL，VIH：0.8V，2.2V
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：3A，5A
- 输入类型：反相，非反相
- 高压侧电压-最大值（自举）：-
- 上升/下降时间（典型值）：14ns，12ns
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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DRV8886AT：具有集成电流感应和智能调优技术的 37V、2A 双极步进电机驱动器
MSP430F155：具有 16KB 闪存、512B SRAM、12 位 ADC、双通道 12 位 DAC、比较器、DMA 和 I2C/SPI/UART 的 8MHz MCU
SN74HC74：具有清零和预置端的双路负边沿触发式 D 型触发器
SN74LS221：具有施密特触发输入的双路单稳态多谐振荡器
TL750M：750mA、26V、低压降稳压器
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SN74LVC86A-EP：增强型产品 4 通道、2 输入、2V 至 3.6V XOR（异或）门
BQ24610：具有 5V 至 28V 输入的独立 1 至 6 节降压电池充电控制器
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