德州仪器基于几十年的电源管理创新经验(TI)最近宣布推出600V氮化镓(GaN)70m场效应晶体管(FET)功率级工程样片TI成为第一家，也是唯一一家能够为公众提供集成高压驱动器的公众GaN半导体制造商的解决方案。以硅材料为基础FET与这决方案相比，这款全新的12ALMG3410功率级与TI模拟与数字电力转换控制器相结合，使设计师创造出尺寸更小、效率更高、性能更好的设计。这些优点在隔离高压工业、电信、企业计算和可再生能源应用中尤为重要。如需了解更多信息，请访问www.ti.com.cn/lmg3410-pr-cn

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通过300多万小时的可靠测试，LMG3410使电源设计人员对电源设计人员对GaN无限潜能充满信心，他们以前认为不可行的方式重新思考电源架构和系统，TI高压电源解决方案副总裁SteveLambouses说，“随着TI在制造能力和大量系统设计专业知识方面的声誉不断扩大，新的功率级成为TI迈向GaN市场的重要一步。”

在集成驱动器和零反向恢复电流的帮助下，LMG3410提供可靠的性能，尤其是在硬开关应用中；在这些应用中，它可以大大降低开关损耗，最多80%。GaNFET不同，易于使用LMG3410集成温度、电流和欠压TI授权代理商锁(UVLO)内置智能故障保护等功能。

经验证的制造和包装专业技术

LMG3410是第一个包含原因的TI生产的GaNFET半导体集成电路(IC)。基于多年来在制造和工艺领域形成的专业技术，TI在硅技术兼容的工厂创造GaN通过不断的实践，这些设备的质量超过了电子元件工业联合会(JEDEC)保证标准要求GaN可靠性和稳定性在恶劣的使用环境中。易于使用的封装将有助于增加功率因数控制器(PFC)AC/DC转换器，高压DC总线转换器和光伏(PV)在逆变器等应用中GaN部署和利用电源设计。

LMG3410的主要特点和优势

使功率密度加倍。V图腾柱的功率级PFC中的功率损耗还要低50%。减少的物料清单(BOM)最多可以减少50%的电源尺寸，数量和效率更高。

减少包装寄生电感。GaN与解决方案相比，新设备的8mmx8mm四方扁平无引线(QFN)包装减少了功率损耗、部件电压应力和电磁干扰(EMI)。

可实现新的拓扑。GaN零反向恢复电荷有利于新的开关拓扑，包括图腾柱PFC和LLC为了提高功率密度和效率，拓扑。

拓展GaN生态系统

为了让设计师利用他们的电源设计GaN技术优势，TI还推出了全新产品，以扩展其GaN生态系统。LMG5200POLEVM-10，一个48V至1V负载点(POL)评估模块将包括80VLMG5200GaNFET全新的功率级配对使用TPS53632GGaNFET控制器。在工业、电信和数据通信应用中，该解决方案可达92%。

供货

TI将提供一个半桥板和四个LMG3410IC样品开发套件。第二个套件包含一个系统级的母板评估。当这两个套件一起使用时，可以直接在工作台上进行测试和设计。现在，这两个开发套件正在进行中TI商店有售。

其它资源：

查看TI的GaN解决方案产品库。

用数字电力转换控制器提高你GaN体验。

下载这些白皮书：

o使用集成驱动器进行优化GaN性能。”

o“基于GaNFET的CCM图腾柱无桥PFC。”

让我们一起实现阅读博文GaN对可靠运行进行了深入研究PowerHouse更多的博客GaN博文。

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