TPS51363 是一款高压输入、同步转换器，此转换器带有集成的 FET，基于 D-CAP2 控制拓扑结构，从而实现快速瞬态响应并支持 POSCAP 和所有 MLCC 输出电容器。 与 TI 领先的封装技术组合在一起，TI 专有的 FET 技术为诸如 VCCIO 和 VDDQ 等用于 DDR 笔记本内存的单输出电源轨或者广泛应用中的任何负载点 (POL) 提供最高密度的解决方案。

此特性集包括 400kHz 和 800kHz 的开关频率。 可由一个外部电容器设定的软启动时间。自动跳跃、预偏置启动、集成引导加载开关、电源良好、使能和一整套的故障保护机制，其中包括 OCL，UVP，OVP 5V UVLO 和热关断。

它采用 3.5mm x 4.5mm，焊球间距 0.4mm，28 引脚 QFN (RVE) 封装，额定运行温度范围为 -10°C 至 85°C。

• 输入电压范围：3V 至 22V
• 输出电压范围：0.6V 至 2V
• 8A 或 10A 集成 FET 转换器（请见）
• 最少的外部组件数量
• 软启动时间可由外部电容器设定
• 开关频率：400kHz 和 800kHz
• D-CAP2 架构以实现高分子有机半导体固体电容器 (POSCAP) 和所有多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容器的使用
• 用于精确过流限制 (OCL) 保护的集成且支持温度补偿的低侧导通电阻感测
• 电源良好输出OCL，过压保护 (OVP)，欠压保护 (UVP) 和欠压闭锁 (UVLO) 保护
• 热关断（非锁存）
• 输出放电功能
• 集成升压金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 开关
• 焊球间距 0.4mm，高度 1mm 的 28 引脚，3.5mm x 4.5mm，RVE，四方扁平无引线 (QFN) 封装

• Vin (Min) (V)
• 3
• Vin (Max) (V)
• 22
• Vout (Min) (V)
• 0.6
• Vout (Max) (V)
• 2
• Iout (Max) (A)
• 10
• Iq (Typ) (uA)
• 560
• Switching frequency (Min) (kHz)
• 400
• Switching frequency (Max) (kHz)
• 800
• Features
• Enable, Light Load Efficiency, Output Discharge, Power Good, Synchronous Rectification, Soft Start Adjustable
• Rating
• Catalog
• Regulated outputs (#)
• 1
• Control mode
• D-CAP2
• Duty cycle (Max) (%)
• 87

TPS51363的完整型号有：TPS51363RVER、TPS51363RVET，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

TPS51363RVER，工作温度：-10 to 85，封装：VQFN-CLIP (RVE)-28，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网TPS51363RVER的批量USD价格：1.331（1000+）

TPS51363RVET，工作温度：-10 to 85，封装：VQFN-CLIP (RVE)-28，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TPS51363RVET的批量USD价格：1.597（1000+）

TPS51363 Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. A)

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