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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:3-PICOSTAR (1x0.60)
- 技术参数：MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
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CSD13383F4 技术参数详情：
- 型号:CSD13383F4
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:3-PICOSTAR (1x0.60)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:12 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:44 毫欧 @ 500mA，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.25V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.6 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:291 pF @ 6 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:3-PICOSTAR (1x0.60)
- 封装/外壳:3-XFDFN
- CSD13383F4优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
BQ20Z65-R1：采用 Impedance Track 技术且符合 SBS 1.1 标准的电量监测计，具有改进的特性集
TPS55340：5A、40V 宽输入电压升压、反激式和 SEPIC 转换器
TPS60250：可驱动 7 个 WLED 的高效电荷泵，具有 I2C 接口和 0x77 I2C 从地址
SN55LVDS33-SP：高速差动接收器
LMS33460：节省空间的超低功耗 3V 欠压检测器
PTV12010L：0.8 至 1.8 V 8A 的 12V 输入非隔离宽调节 SIP 模块
UC1844-SP：航天级 QMLV、30V 输入、1A 单路输出 500kHz PWM 控制器、50% 占空比
OPA388-Q1：符合汽车标准的宽带宽、零温漂、零交叉、精密放大器
CD4518B：CMOS 双路 BCD 加法计数器
OPA343：Single, 5.5-V, 5.5-MHz, RRIO operational amplifier
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