
- 制造厂商:TI
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-VSON-CLIP(3.3x3.3)
- 技术参数:MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
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CSD16327Q3T 技术参数详情:
- 制造商产品型号:CSD16327Q3T
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:NexFET?
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):25V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):60A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):3V,8V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4 毫欧 @ 24A,8V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):8.4nC @ 4.5V
- Vgs(最大值):+10V,-8V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1300pF @ 12.5V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):74W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-VSON-CLIP(3.3x3.3)
- CSD16327Q3T优势代理货源,国内领先的TI芯片采购服务平台。
SN74LS367A:具有三态输出的 6 通道、4.75V 至 5.25V 双极缓冲器
DAC7564:具有 2.5V、2ppm/°C 内部基准电压和复位至零标度功能的 12 位、四通道、超低毛刺脉冲、电压输出 DAC
TPS65141:具有完全集成的正电荷泵、3.3V LDO 控制器、1.6A 最小升压电流限制的 4 通道 LCD 偏置
DAC53508:具有 SPI 的八路 10 位缓冲电压输出 DAC
TPIC44L02:1.2mA/1.2mA 4 通道栅极驱动器,可在负载短路、负载开路和电池过压时转换至低占空比 PWM
TPS61073:采用 ThinSOT-23 封装且具有省电模式的可调节 600mA 开关、1200kHz 升压转换器
TRSF3243:具有 +/-15kV ESD 保护的 3V 至 5.5V 多通道 1Mbps RS-232 线路驱动器/接收器
LM76002-Q1:3.5V 至 60V 3.5A/2.5A 同步稳压器
SN74AS257:具有三态输出的四路 2 线路至 1 线路数据选择器/多路复用器
ADC101S051-Q1:具有 SPI 的汽车类 10 位、500kSPS、单通道 SAR ADC

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