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- 制造厂商：TI
- 类别封装：线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器，产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 技术参数：IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT 8SOIC
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THS4211DR 技术参数详情：
- 制造商产品型号：THS4211DR
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT 8SOIC
- 产品系列：线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
- 包装：卷带（TR）
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 放大器类型：电压反馈
- 电路数：1
- 输出类型：-
- 压摆率：970V/s
- 增益带宽积：350MHz
- -3db带宽：325MHz
- 电流-输入偏置：7A
- 电压-输入补偿：3mV
- 电流-供电：19mA
- 电流-输出/通道：-
- 电压-供电，单/双(±)：5V ~ 15V，±2.5V ~ 7.5V
- 工作温度：-40°C ~ 85°C
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- THS4211DR优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
CSD16301Q2：采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、29mΩ、25V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
OPA2675：双通道、宽带、大功率输出、电流反馈放大器
CC2652R7：具有 704kB 闪存的 SimpleLink Arm Cortex-M4F 多协议 2.4GHz 无线 MCU
LMZ30604：采用 9x11x2.8mm QFN 封装的 2.95V 至 6V、4A 降压电源模块
SN74S00：4 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 双极与非门
CSD17527Q5A：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
TMS320F2802：具有 100MHz 频率、64KB 闪存、6 通道 PWM 的 C2000 32 位 MCU
TS3DS10224：3.3V、4:1 差分单通道或 2:1 差分 2 通道模拟多路复用器
DM505：适用于视觉分析的 SoC，采用 15mm 封装
INA250：具有集成分流电阻的 36V、双向、精密电流感应放大器
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