德州仪器(TI)(NASDAQ:TXN)最近宣布推出两款新型高速氮化镓(GaN)晶体管的场效应(FET)驱TI中文官网动器进一步扩大了行业领先地位GaN电源产品组合可用于激光雷达(LIDAR)以及5G射频(RF)在包络跟踪等关键速度应用中实现更高效、更高性能的设计。LMG1020和LMG1210可在提供50MHz在提高效率的同时，可以实现以往的硅MOSFET无法实现的5倍小尺寸解决方案。欲了解更多信息，请访问www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.ti.com.cn/lmg1210-pr-cn.。

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凭借业内最佳的驱动速度以及1ns脉冲宽度最小，LMG102060-MHz低侧GaN工业上可以使用驱动器LIDAR高精度激光器用于应用。小型晶圆芯片(WCSP)封装尺寸仅为0.8mmx1.2mm，有助于最大限度地减少栅极环路的寄生和损耗，进一步提高效率。

LMG1210是一款50-MHz半桥驱动器高达200V的GaN场效应晶体管设计。该装置的可调死区时间控制功能可以高速控制DC/DC转换器、电机驱动器、D类音频放大器等功率转换应用效率提高5%以上。设计师可以使用300多个V/ns的业内最高共模瞬态抗扰度(CMTI)系统抗噪声能力高。

LMG1020和LMG1210的主要特点和优势

高速:这两个设备可以提供超高速传输延迟(2).5ns[LMG1020]和10ns[LMG1210])使电源解决方案比使用硅驱动器快50倍。LMG1020能提供高功率1ns实现远程激光脉冲LIDAR应用。

高效：这两个设备都能实现高效设计。LMG1210提供1pF低开关节点电容和用户可调的死区时间控制可以提高5%的效率。

功率密度：LMG1210死区时间控制集成功能可以减少元件数量，提高效率，使设计师可以将电源尺寸降低80%。功率密度增加LMG1020，使LIDAR具有行业内最小最高分辨率。

TIGaN产品的优势

LMG1020和LMG1210是业内最大的GaN从2000年开始，电源产品组合的最新成员V驱动器到80V和600V功率级。凭借超过1,000万小时的GaN工艺可靠性测试，TI提供可靠的GaN为了满足成熟和即用解决方案的需求GaN技术带来了硅制造专业技术和高级设备开发人才几十年。

在APEC上参观TI展台

TI美国国际电力电子应用展将于2018年3月4日至8日在德克萨斯州圣安东尼奥举行(APEC)，并广泛展示GaN产品组合及GaN技术。

加快设计所需的支持和工具

可供设计师使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012评估模块和SPICE对这些新设备进行快速、轻松的评估。工程师可以使用它LIDAR纳秒激光驱动参考设计和高速DC/DC多兆赫转换器GaN他们的氮化镓设计很快就开始了。

包装和供应

LMG1020和LMG1210原型样品现已TI在网上提供商店和公司的授权分销。LMG1020采用WCSP封装，而LMG1210采用四方扁平无引脚(QFN)封装。

其他资源

点击链接注册TI2018年电源设计研讨会TI电源专家面对面讨论电源设计GaN相关话题。

查看TIGaN解决方案的GaN电源产品组合。

下载应用报告LMG1210GaN优化效率的驱动器死区时间控制功能。

阅读博客文章GaN驱动器的开关速度超过了今天的技术。

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