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新的12英寸半导体晶圆制造基地TI正式破土动工
(2026/9/25更新)

德州仪器(纳斯达克股票代码:TXN)今天宣布位于德克萨斯州谢尔曼(Sherman)新的12英寸半导体晶圆制造基地正式破土。谭普顿,德州仪器公司董事长、总裁、首席执行官(Rich Templeton)先生在动工仪式上庆祝了基地建设的正式开始,并重申了德州仪器承诺扩大其长期制造能力。

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谭普顿,德州仪器董事长、总裁、首席执行官(Rich Templeton)先生等公司领导出席了谢尔曼的新活动 12英寸半导体晶圆制造基地的动工仪式

谭普顿先生说:"今天是一个重要的里程碑,我们将为半导体在电子产品领域的发展奠定基础,以满足未来几十年客户的需求。公司成立90多年来,我们一直致力于通过半导体技术使电子产品更加经济实用,使世界更加美好。我们很高兴谢尔曼先进的12英寸半导体晶圆制造基地将有所帮助TI不断提高制造能力和技术竞争优势。"


谢尔曼是德州仪器的全新 12英寸半导体晶圆制造基地设计概念图

该项目投资约300亿美元,计划建造四家工厂,以满足长期市场需求。这些新工厂每天将在全球市场的各种电子产品领域制造数千万个模拟和嵌入式处理芯片。

可持续制造

一直以来,TI致力于负责任和可持续制造的长期承诺。新工厂将按照能源和环境设计先锋(LEED)设计金级认证标准,这是LEED建筑评级是结构效率和可持续发展的最高标准之一。采用先进的12英寸晶圆制造设备和技术,新工厂将进一步减少废物排放,减少水和能源消耗。

投资12制造英寸晶圆

谢尔曼晶圆制造基地的第一家工厂预计将于2025年投产。晶圆制造基地将加入TI包括德州达拉斯在内的12英寸晶圆制造商阵营(TI公司Dallas)DMOS六、位于德州理查森(Richardson)的RFAB1.预计将于2022年下半年竣工投产RFAB二、位于犹他州李海(Lehi)预计2023年初投产LFAB。谭普顿先生说:"对长期产能的持续投资将进一步提高公司的成本优势,加强对供应链的控制。"

一直以来,TI对长期产能持续投资,不断提升制造能力和技术竞争优势,以支持客户未来几十年的增长。TI集晶圆制造、封装、试验、凸点加工、晶圆试验于一体的中国成都生产制造基地,目前正在扩建第二个封装/试验厂。


TI公司被热门关注的产品型号
LMK5B33414:时钟和计时
TI 具有集成式 2.5GHz 体声波 VCO 的 14 路输出、三个 DPLL 和 APLL 网络同步器
ADS54T01:射频与微波
TI 单通道 750MSPS BTS 反馈和接收器 IC
TPS61291:电源管理
TI 具有 15nA 旁路操作的低 Iq 升压转换器
MSP430FE423A:微控制器 (MCU) 和处理器
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LMT88:传感器
TI 具有 -11.77mV/°C 增益的 ±4°C 模拟输出温度传感器
CD74HC563:逻辑和电压转换
TI 具有三态输出的高速 CMOS 逻辑八路反向透明锁存器
LMR14050:电源管理
TI 具有 40μA IQ 的 SIMPLE SWITCHER、40V、5A 2.2MHz 降压转换器
LMH6732:放大器
TI 具有可调节带宽的高速运算放大器
LM61480-Q1:电源管理
TI 针对功率密度进行了优化且具有低 EMI 的 8A 汽车类降压转换器
VCA5807:放大器
TI 具有 CW 无源混频器的全集成、8 通道电压控制放大器
SN74AUC1G126:逻辑和电压转换
TI 具有三态输出的单路 0.8V 至 2.7V 高速缓冲器
ADC121S051:数据转换器
TI 单通道、200 至 500 ksps、12 位模数转换器
HD3SS213:接口
TI 支持 DDC/AUX 开关的 5.4Gbps DisplayPort 1.2a 1:2/2:1 差动多路复用器
MSP430FG4270:微控制器 (MCU) 和处理器
TI 具有 32KB 闪存、256B SRAM、16 位 Σ-Δ ADC、12 位 DAC、2 个运算放大器和 56 段 LCD 的 8MHz MCU
TLV9102:放大器
TI Dual, 16-V, 1.1-MHz, low-power operational amplifier
TLV9164:放大器
TI 四路、16V、11MHz、轨至轨输入/输出、低失调电压、低噪声运算放大器
VSP5324-Q1:数据转换器
TI 汽车类 4 通道 12 位 80MSPS 模数转换器 (ADC)
DLPC3432:DLP 产品
TI 适用于 DLP230GP (0.23 qHD) DMD 的 DLP 显示控制器
LM5576-Q1:电源管理
TI 75V、3A 降压开关稳压器
LP3999:电源管理
TI 具有使能功能的 150mA、低噪声、低压降稳压器
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