CSD18501Q5A 电源管理 MOSFET - N 沟道 MOSFET 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

• VDS (V)
• 40
• Configuration
• Single
• Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
• 4.3
• Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
• 3.2
• IDM - pulsed drain current (Max) (A)
• 400
• QG typ (nC)
• 42
• QGD typ (nC)
• 5.9
• QGS typ (nC)
• 8.1
• Package (mm)
• SON5x6
• VGS (V)
• 20
• VGSTH typ (V)
• 1.8
• ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
• 161
• ID - package limited (A)
• 100
• Logic level
• Yes

CSD18501Q5A的完整型号有：CSD18501Q5A，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD18501Q5A，工作温度：-55 to 150，封装： (DQJ)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD18501Q5A的批量USD价格：.615（1000+）

EVMX777BG-01-00-00 J6Entry、RSP 和 TDA2E-17 CPU 板评估模块

J6Entry、RSP 和 TDA2E-17 CPU 板 EVM 是一种评估平台，用于加快信息娱乐系统、可重新配置的数字群集或集成数字化驾驶舱以及 ADAS 应用的开发速度，并缩短其上市时间。CPU 板集成了并行摄像头接口、CAN、千兆位以太网、FPD-Link、USB3.0 和 HDMI 等主要外设。

EVMX777G-01-20-00 J6Entry/RSP 信息娱乐（CPU + 显示屏 + JAMR3）评估模块

J6Entry/RSP EVM 是一种评估平台，用于加快信息娱乐系统、可重新配置的数字群集或集成数字化驾驶舱等应用的开发速度，并缩短其上市时间。

主 CPU 板集成了以太网或 HDMI 等主要外设，而信息娱乐应用子板 (JAMR3) 和 LCD/TS 子板将补充 CPU 板，从而提供完整的系统以快速开始评估和应用开发。

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器