德州仪器(TI)宣布推出14款TO-220及SON封装的功率MOSFET，其支持40V至100V输入电压进一步增加TI普及型NexFET产品阵营。高效率NexFET包括40V、60V、80V以及100VN通道设备可为广泛的电流电机控制和电源应用提供优异的散热性能。

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最低导电阻

两款最新80V及100VNexFET在不影响高栅极电荷的情况下，设备可以通过TO-220包装实现了行业内最低的导通电阻，为设计师提供了更高的电流转换效率。CSD19506可在高达80V支持2.0毫欧姆在输入电压下的导通电阻CSD19536则可在100V支持2.3毫欧姆在输入电压下的导通电阻。这两产品均采用塑料包装，支持高雪崩性能，支持高应力电机控制应用。此外，设计师还可以访问TI获奖的WEBENCH®方便选择最新产品，模拟电源设计。

CSD19506KCS产品数据表链接：http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121107。

CSD19536KCS产品数据表链接：http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121108。

简单易用的评估板

TI还基于60VNexFET产品推出了几个简单易用的评估板，可以通过TIeStore™订购：

·步进电机前驱动：DRV8711EVM评估板基于DRV8711步进电机控制器NexFET装置匹配可驱动大电流双极步进电机或两个刷DC电机;

·电机驱动BoosterPack：BTI公司OOSTXL-DRV8301套件是基于DRV8301前置驱动器10A三相位无刷DC驱动级，适用于学习无传感器无刷控制技术以及驱动级设计的人员;

·数字电源：UCD3138PSFBEVM-027可以帮助电源开发人员设计数控移相离线12V、360W电源转换器应用；

·负载点控制：TPS40170EVM-597评估板支持TI具有2个NexFET器件的TPS40170同步降压控制器。

关于NexFET功率MOSFET

TINexFET功率MOSFET该技术可以提高高功率计算、网络、工业和电源的能源效率。这些高频高效模拟功率MOSFET现在可以为系统设计师提供上市的最高级别DC/DC电源转换解决方案。

供货情况

CSD19506KCS与CSD19536KCSN通道设备已开始批量供货，可通过TI并授权经销商在全球网络上订购。每种产品均采用3引脚标准TO-220包装。TI还提供5毫米无引线×6毫米SON封装的40V、60V、80V以及100VFET。