日前，德州仪器 (TI) 宣布为智能手机、平板电脑等空间有限的手持应用推出业内最小的低导电阻 MOSFET。该最新系列 FemtoFET™ MOSFET 晶体管采用超小包装，支撑不足 100 毫欧导电阻。

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三个 N 通道及三个 P 通道 FemtoFET MOSFET 均采用平面格栅阵列 (LGA) 包装，芯片级包装 (CSP) 相比之下，它可以锐减板积空间 40%。CSD17381F4 与 CSD25481F4 支持不足 100 毫欧的导电阻低于目前市场上类似设备 70%。所有 FemtoFET MOSFET 均提供超过 4000V 的人体模型 (HVM) 静电放电 (ESD) 保护。

FemtoFET MOSFET 归属 TI NexFET 功率 MOSFET 该系列还包括适合手机等便携式应用的产品系列 CSD25213W10 P 通道设备及 CSD13303W10TI代理15 N 通道设备等。TI 提供 LP5907 大电流低压降 (LDO) 线性稳压器和 TPS65090 前端电源管理单元 (PMU) 各种系列的电源管理产品，应用，可节省板级空间，降低功耗。

FemtoFET MOSFET 系列的主要特点和优点

· 不足 100 毫欧的导电阻低于类似设备 70%可节约电源，延长电池使用寿命；
· FemtoFET 0.6 毫米 × 1.0 毫米 × 0.35 毫米的 LGA 封装比标准 CSP 小 40%;
· 1.5A 至 3.1A 与目前市场上类似尺寸的设备相比，连续漏极电流值可提供超过 2 倍的性能。

供货情况

FemtoFET MOSFET 设备已开始批量供应，可通过 TI 授权经销商订购。