TI LMG341xR050 GaN在贸泽开售功率级 支持高密度电源转换设计
(2024年5月19日更新)
近日,专注于引进新产品并提供大量库存的电子元器件经销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 开始备货Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化镓 (GaN) 功率级。这款 600V、500 mΩ该设备具有集成栅极驱动和强大的保护功能,可使设计师在电源转换系统中实现更高的效率,适用于高密度工业和消费电源、高压电池充电器、光伏逆变器和多电平转换器。
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贸泽电子备货TI LMG341xR050 GaN功率级与硅MOSFET与超低输入和输出容值相比,它具有多种优点TI中国官网低EMI低开关节点振铃,零反向恢复,可将开关损耗降低80%。该装置的集成式栅极驱动器支持100 V/ns开关实现几乎为零VDs通过补偿阈值变化,可以保证微调格栅极偏置电压的可靠切换。该功率级集成了图腾柱功率因数校正等一系列独特的功能 (PFC) 结构等密集高效的拓扑,使设计师能够优化电源性能,提高可靠性。
LMG341xR050 GaN功率级保护功能强,无需外部保护元件即可提供过热保护和瞬态电压抗扰性,所有电源轨均有欠压锁定 (UVLO) 保护。LMG341xR响应时间小于1000 ns超过150的过流保护和过流保护 V/ns压摆率的抗扰性。
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